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IXFR52N30Q

IXFR52N30Q

僅供參考

型號 IXFR52N30Q
PNEDA編號 IXFR52N30Q
描述 MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR52N30Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR52N30Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFR52N30Q規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱ISOPLUS247™

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

470mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40pF @ 10V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 100mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

225mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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30V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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8.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

470mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

547pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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