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IXFR70N15

IXFR70N15

僅供參考

型號 IXFR70N15
PNEDA編號 IXFR70N15
描述 MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,392
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFR70N15資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFR70N15
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFR70N15, IXFR70N15數據表 (總頁數: 2, 大小: 34.73 KB)
PDFIXFR70N15數據表 封面
IXFR70N15數據表 頁面 2

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IXFR70N15規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)67A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs28mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs180nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS247™
包裝/箱ISOPLUS247™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+16V, -12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1780pF @ 12.5V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 120µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

424pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

22.7W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1.04mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

145nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7910pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

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