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IXFT100N30X3HV

IXFT100N30X3HV

僅供參考

型號 IXFT100N30X3HV
PNEDA編號 IXFT100N30X3HV
描述 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFT100N30X3HV資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFT100N30X3HV
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFT100N30X3HV規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs13.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs122nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7.66nF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-268HV
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

87A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

340pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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-

功耗(最大值)

1.4W (Ta), 68W (Tc)

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