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IXFT220N20X3HV

IXFT220N20X3HV

僅供參考

型號 IXFT220N20X3HV
PNEDA編號 IXFT220N20X3HV
描述 200V/220A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFT220N20X3HV資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFT220N20X3HV
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFT220N20X3HV規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)220A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.2mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs204nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)960W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-268HV
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.1mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

108nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7380pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

263W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IXTT50P085

IXYS

制造商

IXYS

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

85V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-268

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5400pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

157W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1920pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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860mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

170mW (Ta)

工作溫度

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