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IXFT26N60Q

IXFT26N60Q

僅供參考

型號 IXFT26N60Q
PNEDA編號 IXFT26N60Q
描述 MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFT26N60Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFT26N60Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFT26N60Q, IXFT26N60Q數據表 (總頁數: 2, 大小: 107.91 KB)
PDFIXFT26N60Q數據表 封面
IXFT26N60Q數據表 頁面 2

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IXFT26N60Q規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)26A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs200nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-268
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

105A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 134µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

179W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

330mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

28.7pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

400mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

101nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7930pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

310mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23.2pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

380mW

工作溫度

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FET功能

-

功耗(最大值)

-

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