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IXFT50N85XHV

IXFT50N85XHV

僅供參考

型號 IXFT50N85XHV
PNEDA編號 IXFT50N85XHV
描述 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFT50N85XHV資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFT50N85XHV
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFT50N85XHV, IXFT50N85XHV數據表 (總頁數: 6, 大小: 286.78 KB)
PDFIXFK50N85X數據表 封面
IXFK50N85X數據表 頁面 2 IXFK50N85X數據表 頁面 3 IXFK50N85X數據表 頁面 4 IXFK50N85X數據表 頁面 5 IXFK50N85X數據表 頁面 6

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IXFT50N85XHV規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)850V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs105mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs152nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4480pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)890W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-268
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

203W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3843pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Ta), 270A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.7mOhm @ 61A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6500pF @ 13V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.3W (Ta), 83W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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制造商

Infineon Technologies

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HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

73A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3550pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

265mW (Ta), 1.33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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