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IXFT80N30P3

IXFT80N30P3

僅供參考

型號 IXFT80N30P3
PNEDA編號 IXFT80N30P3
描述 MOSFET N-CH 300V 80A TO-268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFT80N30P3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFT80N30P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFT80N30P3規格

制造商IXYS
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.3mOhm @ 44A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.8V @ 49µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2730pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

92A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2150pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.25mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1700pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2190pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 30µA

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48nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

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