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IXFV26N50PS

IXFV26N50PS

僅供參考

型號 IXFV26N50PS
PNEDA編號 IXFV26N50PS
描述 MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220-SMD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFV26N50PS資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFV26N50PS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFV26N50PS, IXFV26N50PS數據表 (總頁數: 5, 大小: 323.94 KB)
PDFIXFV26N50PS數據表 封面
IXFV26N50PS數據表 頁面 2 IXFV26N50PS數據表 頁面 3 IXFV26N50PS數據表 頁面 4 IXFV26N50PS數據表 頁面 5

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IXFV26N50PS規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)26A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs230mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)400W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PLUS-220SMD
包裝/箱PLUS-220SMD

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 24V

FET功能

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功耗(最大值)

730mW (Ta)

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