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IXFX160N30T

IXFX160N30T

僅供參考

型號 IXFX160N30T
PNEDA編號 IXFX160N30T
描述 MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX160N30T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX160N30T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX160N30T, IXFX160N30T數據表 (總頁數: 6, 大小: 172.18 KB)
PDFIXFX160N30T數據表 封面
IXFX160N30T數據表 頁面 2 IXFX160N30T數據表 頁面 3 IXFX160N30T數據表 頁面 4 IXFX160N30T數據表 頁面 5 IXFX160N30T數據表 頁面 6

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IXFX160N30T規格

制造商IXYS
系列GigaMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)160A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs19mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs335nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1390W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

114W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1043pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

46W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

791pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

88A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.1mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1133pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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Surface Mount

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