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IXFX73N30Q

IXFX73N30Q

僅供參考

型號 IXFX73N30Q
PNEDA編號 IXFX73N30Q
描述 MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX73N30Q資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX73N30Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX73N30Q, IXFX73N30Q數據表 (總頁數: 4, 大小: 585.12 KB)
PDFIXFK73N30Q數據表 封面
IXFK73N30Q數據表 頁面 2 IXFK73N30Q數據表 頁面 3 IXFK73N30Q數據表 頁面 4

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IXFX73N30Q規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)73A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs195nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)500W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

300V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.34A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7Ohm @ 670mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

130pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

16W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

715pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

710mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1120pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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24mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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-

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