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IXFX80N60P3

IXFX80N60P3

僅供參考

型號 IXFX80N60P3
PNEDA編號 IXFX80N60P3
描述 MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 22 - 十二月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX80N60P3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX80N60P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX80N60P3, IXFX80N60P3數據表 (總頁數: 5, 大小: 124.59 KB)
PDFIXFX80N60P3數據表 封面
IXFX80N60P3數據表 頁面 2 IXFX80N60P3數據表 頁面 3 IXFX80N60P3數據表 頁面 4 IXFX80N60P3數據表 頁面 5

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IXFX80N60P3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, Polar3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs190nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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FET功能

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功耗(最大值)

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14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

984.7pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1960pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 170W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.5nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

630pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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