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IXFX98N50P3

IXFX98N50P3

僅供參考

型號 IXFX98N50P3
PNEDA編號 IXFX98N50P3
描述 MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFX98N50P3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFX98N50P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXFX98N50P3, IXFX98N50P3數據表 (總頁數: 5, 大小: 126.56 KB)
PDFIXFK98N50P3數據表 封面
IXFK98N50P3數據表 頁面 2 IXFK98N50P3數據表 頁面 3 IXFK98N50P3數據表 頁面 4 IXFK98N50P3數據表 頁面 5

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IXFX98N50P3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, Polar3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)98A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 8mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs197nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PLUS247™-3
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22.5A (Ta), 80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

8.3W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

18pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4600pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 150W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 35W (Tc)

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FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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