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IXFY4N60P3

IXFY4N60P3

僅供參考

型號 IXFY4N60P3
PNEDA編號 IXFY4N60P3
描述 MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFY4N60P3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFY4N60P3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFY4N60P3規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™, Polar3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.9nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds365pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)114W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

IXYS

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HiPerFET™, PolarP2™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

310nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

24-SMPD

包裝/箱

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2N6762

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-204AA

包裝/箱

TO-204AA, TO-3

IRFPS38N60L

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

320nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7990pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

540W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

SUPER-247™ (TO-274AA)

包裝/箱

TO-274AA

制造商

IXYS

系列

HiPerFET™, PolarP2™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

152nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

714W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-264AA (IXFK)

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

2SK1828TE85LF

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40Ohm @ 10mA, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5.5pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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