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IXFY4N85X

IXFY4N85X

僅供參考

型號 IXFY4N85X
PNEDA編號 IXFY4N85X
描述 MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXFY4N85X資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXFY4N85X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXFY4N85X規格

制造商IXYS
系列HiPerFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)850V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds247pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)150W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252 (IXFY)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1452pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 66A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 20V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

850mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 11.4W (Tc)

工作溫度

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