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IXGB200N60B3

IXGB200N60B3

僅供參考

型號 IXGB200N60B3
PNEDA編號 IXGB200N60B3
描述 IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGB200N60B3資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGB200N60B3
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGB200N60B3, IXGB200N60B3數據表 (總頁數: 6, 大小: 198.52 KB)
PDFIXGB200N60B3數據表 封面
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IXGB200N60B3規格

制造商IXYS
系列GenX3™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
電流-集電極脈沖(Icm)600A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.5V @ 15V, 100A
功率-最大1250W
開關能量1.6mJ (on), 2.9mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用750nC
25°C時的Td(開/關)44ns/310ns
測試條件300V, 100A, 1Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝PLUS264™

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

29A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 15V, 10A

功率-最大

80W

開關能量

600µJ (on), 5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

33nC

25°C時的Td(開/關)

700ns/1.2µs

測試條件

480V, 10A, 1kOhm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 20A

功率-最大

166W

開關能量

770µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/199ns

測試條件

400V, 20A, 12Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

41ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

77W

開關能量

56µJ (on), 122µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19.5nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/75ns

測試條件

400V, 6A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

74ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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440V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/5µs

測試條件

300V, 9A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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