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IXGH10N100AU1

IXGH10N100AU1

僅供參考

型號 IXGH10N100AU1
PNEDA編號 IXGH10N100AU1
描述 IGBT 1000V 20A 100W TO247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGH10N100AU1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGH10N100AU1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGH10N100AU1, IXGH10N100AU1數據表 (總頁數: 6, 大小: 121.58 KB)
PDFIXGH10N100AU1數據表 封面
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IXGH10N100AU1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1000V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic4V @ 15V, 10A
功率-最大100W
開關能量2mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用52nC
25°C時的Td(開/關)100ns/550ns
測試條件800V, 10A, 150Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)60ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXGH)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 60A

功率-最大

455W

開關能量

3.13mJ (on), 1.15mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

37ns/145ns

測試條件

400V, 60A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

42A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

功率-最大

49W

開關能量

240µJ (on), 260µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

17ns/160ns

測試條件

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Renesas Electronics America

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 40A

功率-最大

178.5W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 20A

功率-最大

290W

開關能量

115µJ (on), 195µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

8ns/35ns

測試條件

390V, 20A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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