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IXGH32N60CD1

IXGH32N60CD1

僅供參考

型號 IXGH32N60CD1
PNEDA編號 IXGH32N60CD1
描述 IGBT 600V 60A 200W TO247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 17 - 三月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGH32N60CD1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGH32N60CD1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGH32N60CD1, IXGH32N60CD1數據表 (總頁數: 5, 大小: 162.59 KB)
PDFIXGH32N60CD1數據表 封面
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IXGH32N60CD1規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™, Lightspeed™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 32A
功率-最大200W
開關能量320µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用110nC
25°C時的Td(開/關)25ns/85ns
測試條件480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)25ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXGH)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 20A

功率-最大

51.6W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

功率-最大

167W

開關能量

400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/130ns

測試條件

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 20A

功率-最大

220W

開關能量

95µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

68nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/115ns

測試條件

390V, 13A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AC

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制造商

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 20A

功率-最大

290W

開關能量

115µJ (on), 195µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

8ns/35ns

測試條件

390V, 20A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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25ns/150ns

測試條件

390V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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