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IXGH32N60CD1

IXGH32N60CD1

僅供參考

型號 IXGH32N60CD1
PNEDA編號 IXGH32N60CD1
描述 IGBT 600V 60A 200W TO247AD
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGH32N60CD1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGH32N60CD1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGH32N60CD1, IXGH32N60CD1數據表 (總頁數: 5, 大小: 162.59 KB)
PDFIXGH32N60CD1數據表 封面
IXGH32N60CD1數據表 頁面 2 IXGH32N60CD1數據表 頁面 3 IXGH32N60CD1數據表 頁面 4 IXGH32N60CD1數據表 頁面 5

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IXGH32N60CD1規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™, Lightspeed™
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 32A
功率-最大200W
開關能量320µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用110nC
25°C時的Td(開/關)25ns/85ns
測試條件480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)25ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247AD (IXGH)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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開關能量

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Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

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225nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/150ns

測試條件

390V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

55ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 10A

功率-最大

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230µJ (on), 160µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19.7nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/54ns

測試條件

300V, 10A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

130ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

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輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/99ns

測試條件

480V, 12A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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