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IXGK50N60B2D1

IXGK50N60B2D1

僅供參考

型號 IXGK50N60B2D1
PNEDA編號 IXGK50N60B2D1
描述 IGBT 600V 75A 400W TO264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGK50N60B2D1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGK50N60B2D1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGK50N60B2D1, IXGK50N60B2D1數據表 (總頁數: 6, 大小: 492.31 KB)
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IXGK50N60B2D1規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
電流-集電極脈沖(Icm)200A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 40A
功率-最大400W
開關能量550µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用140nC
25°C時的Td(開/關)18ns/190ns
測試條件480V, 40A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)35ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264 (IXGK)

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-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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開關能量

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輸入類型

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

21A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

17nC

25°C時的Td(開/關)

-/4.8µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

IRG4BC30FD-SPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

31A

電流-集電極脈沖(Icm)

124A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 17A

功率-最大

100W

開關能量

630µJ (on), 1.39mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

42ns/230ns

測試條件

480V, 17A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

42ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

STGWA40N120KD

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

PowerMESH™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.85V @ 15V, 30A

功率-最大

240W

開關能量

3.7mJ (on), 5.7mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

126nC

25°C時的Td(開/關)

48ns/338ns

測試條件

960V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

84ns

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

FGD3325G2-F085

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制造商

ON Semiconductor

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.25V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

21nC

25°C時的Td(開/關)

800ns/5.1µs

測試條件

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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