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IXGN50N120C3H1

IXGN50N120C3H1

僅供參考

型號 IXGN50N120C3H1
PNEDA編號 IXGN50N120C3H1
描述 IGBT 1200V 95A SOT-227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGN50N120C3H1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGN50N120C3H1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
IXGN50N120C3H1, IXGN50N120C3H1數據表 (總頁數: 6, 大小: 191.24 KB)
PDFIXGN50N120C3H1數據表 封面
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IXGN50N120C3H1規格

制造商IXYS
系列GenX3™
IGBT類型PT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)95A
功率-最大460W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic4.2V @ 15V, 40A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce4.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝SOT-227B

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.57nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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NTC熱敏電阻

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

功率-最大

210W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Module

BSM50GP60BOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.75V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

60nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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