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IXGT50N60C2

IXGT50N60C2

僅供參考

型號 IXGT50N60C2
PNEDA編號 IXGT50N60C2
描述 IGBT 600V 75A 400W TO268
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXGT50N60C2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXGT50N60C2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXGT50N60C2, IXGT50N60C2數據表 (總頁數: 5, 大小: 166.08 KB)
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IXGH50N60C2數據表 頁面 2 IXGH50N60C2數據表 頁面 3 IXGH50N60C2數據表 頁面 4 IXGH50N60C2數據表 頁面 5

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IXGT50N60C2規格

制造商IXYS
系列HiPerFAST™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 40A
功率-最大400W
開關能量380µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用138nC
25°C時的Td(開/關)18ns/115ns
測試條件480V, 40A, 2Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝TO-268

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

260W

開關能量

383µJ (on), 293µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

149nC

25°C時的Td(開/關)

37ns/146ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

53ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 30A

功率-最大

187W

開關能量

690µJ (on), 770µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

167nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/254ns

測試條件

400V, 30A, 10.6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 40A

功率-最大

50W

開關能量

850µJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

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門禁費用

104nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/160ns

測試條件

300V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Infineon Technologies

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6.2A

電流-集電極脈沖(Icm)

9.6A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 2A

功率-最大

62W

開關能量

220µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

11nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/260ns

測試條件

800V, 2A, 91Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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