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IXKG25N80C

IXKG25N80C

僅供參考

型號 IXKG25N80C
PNEDA編號 IXKG25N80C
描述 MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,922
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXKG25N80C資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXKG25N80C
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXKG25N80C, IXKG25N80C數據表 (總頁數: 2, 大小: 500.25 KB)
PDFIXKG25N80C數據表 封面
IXKG25N80C數據表 頁面 2

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IXKG25N80C規格

制造商IXYS
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 2mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs166nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)250W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISO264™
包裝/箱ISO264™

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25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1642pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

63W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 300mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48.8nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7149pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

182W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.4A (Ta), 37A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1890pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

72W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

890pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta), 45W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

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