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IXKP13N60C5

IXKP13N60C5

僅供參考

型號 IXKP13N60C5
PNEDA編號 IXKP13N60C5
描述 MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXKP13N60C5資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXKP13N60C5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXKP13N60C5, IXKP13N60C5數據表 (總頁數: 4, 大小: 97.24 KB)
PDFIXKP13N60C5數據表 封面
IXKP13N60C5數據表 頁面 2 IXKP13N60C5數據表 頁面 3 IXKP13N60C5數據表 頁面 4

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IXKP13N60C5規格

制造商IXYS
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 440µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 100V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

77.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5057pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

109W (Tc)

工作溫度

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14.5A (Ta), 105A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

126nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6775pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

303mOhm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

82pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta)

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 72A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4050pF @ 30V

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功耗(最大值)

2.1W (Ta), 115W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

640pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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