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IXKP20N60C5M

IXKP20N60C5M

僅供參考

型號 IXKP20N60C5M
PNEDA編號 IXKP20N60C5M
描述 MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXKP20N60C5M資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXKP20N60C5M
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXKP20N60C5M, IXKP20N60C5M數據表 (總頁數: 4, 大小: 101.23 KB)
PDFIXKP20N60C5M數據表 封面
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IXKP20N60C5M規格

制造商IXYS
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs200mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 1.1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1520pF @ 100V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220ABFP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13.5pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

100mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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18A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1920pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

83nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1270pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

215nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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