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IXRFSM12N100

IXRFSM12N100

僅供參考

型號 IXRFSM12N100
PNEDA編號 IXRFSM12N100
描述 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
制造商 IXYS-RF
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXRFSM12N100資源

品牌 IXYS-RF
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXRFSM12N100
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXRFSM12N100規格

制造商IXYS-RF
系列SMPD
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)15V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.05Ohm @ 6A, 15V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs77nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2875pF @ 800V
FET功能-
功耗(最大值)940W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝16-SMPD
包裝/箱16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1333pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 74.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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