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IXSK30N60CD1

IXSK30N60CD1

僅供參考

型號 IXSK30N60CD1
PNEDA編號 IXSK30N60CD1
描述 IGBT 600V 55A 200W TO264
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,592
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXSK30N60CD1資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXSK30N60CD1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
IXSK30N60CD1, IXSK30N60CD1數據表 (總頁數: 2, 大小: 72.9 KB)
PDFIXST30N60CD1數據表 封面
IXST30N60CD1數據表 頁面 2

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IXSK30N60CD1規格

制造商IXYS
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)55A
電流-集電極脈沖(Icm)110A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 30A
功率-最大200W
開關能量700µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用100nC
25°C時的Td(開/關)30ns/90ns
測試條件480V, 30A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)50ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA
供應商設備包裝TO-264AA(IXSK)

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電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

180W

開關能量

2.85mJ (on), 6.47mJ (off)

輸入類型

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門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/290ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

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IXGT24N60C

IXYS

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

48A

電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

開關能量

240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

55nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/75ns

測試條件

480V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

125A

電流-集電極脈沖(Icm)

420A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 50A

功率-最大

660W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/205ns

測試條件

960V, 50A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

1.7µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3 Variant

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制造商

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BIMOSFET™

IGBT類型

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

42A

電流-集電極脈沖(Icm)

265A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6V @ 15V, 21A

功率-最大

357W

開關能量

3.43mJ (on), 430µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

188nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/200ns

測試條件

850V, 21A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

330ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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