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IXTA130N10T

IXTA130N10T

僅供參考

型號 IXTA130N10T
PNEDA編號 IXTA130N10T
描述 MOSFET N-CH 100V 130A TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 9,144
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTA130N10T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTA130N10T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTA130N10T, IXTA130N10T數據表 (總頁數: 5, 大小: 148.66 KB)
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IXTA130N10T規格

制造商IXYS
系列TrenchMV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)130A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs104nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5080pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (IXTA)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

108A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2592pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 15.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

266nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6110pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

13.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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功耗(最大值)

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