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IXTA24P085T

IXTA24P085T

僅供參考

型號 IXTA24P085T
PNEDA編號 IXTA24P085T
描述 MOSFET P-CH 85V 24A TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTA24P085T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTA24P085T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTA24P085T, IXTA24P085T數據表 (總頁數: 6, 大小: 197.88 KB)
PDFIXTA24P085T數據表 封面
IXTA24P085T數據表 頁面 2 IXTA24P085T數據表 頁面 3 IXTA24P085T數據表 頁面 4 IXTA24P085T數據表 頁面 5 IXTA24P085T數據表 頁面 6

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IXTA24P085T規格

制造商IXYS
系列TrenchP™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)85V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs41nC @ 10V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2090pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (IXTA)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0.9V, 2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

69mOhm @ 1.5A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 2.5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1010pF @ 6V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

130pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

660mW (Ta)

工作溫度

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 36A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1310pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 25W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

850V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1660pF @ 25V

FET功能

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