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IXTA4N80P

IXTA4N80P

僅供參考

型號 IXTA4N80P
PNEDA編號 IXTA4N80P
描述 MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,608
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTA4N80P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTA4N80P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTA4N80P, IXTA4N80P數據表 (總頁數: 4, 大小: 173.21 KB)
PDFIXTA4N80P數據表 封面
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IXTA4N80P規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.2nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)100W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (IXTA)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 2.48A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1185pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2774pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Tc)

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5.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

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