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IXTC160N085T

IXTC160N085T

僅供參考

型號 IXTC160N085T
PNEDA編號 IXTC160N085T
描述 MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS 220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTC160N085T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTC160N085T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTC160N085T規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)85V
電流-25°C時的連續漏極(Id)110A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS220™
包裝/箱ISOPLUS220™

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 10V

FET功能

-

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5750pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

214W (Tj)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.58nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

170pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Tc)

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