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IXTC220N075T

IXTC220N075T

僅供參考

型號 IXTC220N075T
PNEDA編號 IXTC220N075T
描述 MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTC220N075T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTC220N075T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTC220N075T, IXTC220N075T數據表 (總頁數: 5, 大小: 186.43 KB)
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IXTC220N075T規格

制造商IXYS
系列TrenchMV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)115A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs165nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)150W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS220™
包裝/箱ISOPLUS220™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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FET功能

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功耗(最大值)

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31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

215mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

740mW (Ta)

工作溫度

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