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IXTF02N450

IXTF02N450

僅供參考

型號 IXTF02N450
PNEDA編號 IXTF02N450
描述 MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTF02N450資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTF02N450
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTF02N450, IXTF02N450數據表 (總頁數: 5, 大小: 151.41 KB)
PDFIXTF02N450數據表 封面
IXTF02N450數據表 頁面 2 IXTF02N450數據表 頁面 3 IXTF02N450數據表 頁面 4 IXTF02N450數據表 頁面 5

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IXTF02N450規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)4500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs750Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID6.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds256pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)78W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝ISOPLUS i4-PAC™
包裝/箱i4-Pac™-5 (3 Leads)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.4mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

755pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1050V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1370pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

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FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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