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IXTH102N15T

IXTH102N15T

僅供參考

型號 IXTH102N15T
PNEDA編號 IXTH102N15T
描述 MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH102N15T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH102N15T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH102N15T, IXTH102N15T數據表 (總頁數: 7, 大小: 234.03 KB)
PDFIXTH102N15T數據表 封面
IXTH102N15T數據表 頁面 2 IXTH102N15T數據表 頁面 3 IXTH102N15T數據表 頁面 4 IXTH102N15T數據表 頁面 5 IXTH102N15T數據表 頁面 6 IXTH102N15T數據表 頁面 7

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IXTH102N15T規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)102A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs87nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5220pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)455W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2155pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 37W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PQFN (3x3)

包裝/箱

8-VQFN Exposed Pad

SI7478DP-T1-GE3

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制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

PowerPAK® SO-8

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta), 84W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 23µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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-

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