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IXTH300N04T2

IXTH300N04T2

僅供參考

型號 IXTH300N04T2
PNEDA編號 IXTH300N04T2
描述 MOSFET N-CH 40V 300A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,838
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH300N04T2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH300N04T2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH300N04T2, IXTH300N04T2數據表 (總頁數: 6, 大小: 166.28 KB)
PDFIXTH300N04T2數據表 封面
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IXTH300N04T2規格

制造商IXYS
系列TrenchT2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)300A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs145nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3830pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 69A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 115µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

273nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13060pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

165W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 39µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1358pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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FET功能

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功耗(最大值)

306W (Tc)

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