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IXTH360N055T2

IXTH360N055T2

僅供參考

型號 IXTH360N055T2
PNEDA編號 IXTH360N055T2
描述 MOSFET N-CH 55V 360A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 10 - 一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH360N055T2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH360N055T2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH360N055T2, IXTH360N055T2數據表 (總頁數: 6, 大小: 181.89 KB)
PDFIXTT360N055T2數據表 封面
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IXTH360N055T2規格

制造商IXYS
系列TrenchT2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)360A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs330nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds20000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)935W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.4mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8180pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

326nC @ 10V

Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

87W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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