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IXTH40N50L2

IXTH40N50L2

僅供參考

型號 IXTH40N50L2
PNEDA編號 IXTH40N50L2
描述 MOSFET N-CH 500V 40A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH40N50L2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH40N50L2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH40N50L2, IXTH40N50L2數據表 (總頁數: 5, 大小: 191.13 KB)
PDFIXTH40N50L2數據表 封面
IXTH40N50L2數據表 頁面 2 IXTH40N50L2數據表 頁面 3 IXTH40N50L2數據表 頁面 4 IXTH40N50L2數據表 頁面 5

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IXTH40N50L2規格

制造商IXYS
系列Linear L2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs170mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs320nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)540W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 21µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

426pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

28.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

170V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

320A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

640nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1670W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET功能

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功耗(最大值)

1.6W (Ta), 15.6W (Tc)

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