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IXTH44P15T

IXTH44P15T

僅供參考

型號 IXTH44P15T
PNEDA編號 IXTH44P15T
描述 MOSFET P-CH 150V 44A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,934
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH44P15T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH44P15T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH44P15T, IXTH44P15T數據表 (總頁數: 7, 大小: 237.49 KB)
PDFIXTH44P15T數據表 封面
IXTH44P15T數據表 頁面 2 IXTH44P15T數據表 頁面 3 IXTH44P15T數據表 頁面 4 IXTH44P15T數據表 頁面 5 IXTH44P15T數據表 頁面 6 IXTH44P15T數據表 頁面 7

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IXTH44P15T規格

制造商IXYS
系列TrenchP™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)44A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs175nC @ 10V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)298W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 37.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 214W (Tj)

工作溫度

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安裝類型

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11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 11A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

197mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1690pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

227W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

196mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

231W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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9.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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