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IXTH450P2

IXTH450P2

僅供參考

型號 IXTH450P2
PNEDA編號 IXTH450P2
描述 MOSFET N-CH 500V 16A TO247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH450P2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH450P2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH450P2, IXTH450P2數據表 (總頁數: 5, 大小: 138.88 KB)
PDFIXTP450P2數據表 封面
IXTP450P2數據表 頁面 2 IXTP450P2數據表 頁面 3 IXTP450P2數據表 頁面 4 IXTP450P2數據表 頁面 5

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IXTH450P2規格

制造商IXYS
系列PolarP2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs330mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs43nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2530pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 166µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

19W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

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-

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

700V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 400V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

306pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

21.2W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2406pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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