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IXTH75N15

IXTH75N15

僅供參考

型號 IXTH75N15
PNEDA編號 IXTH75N15
描述 MOSFET N-CH 150V 75A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,462
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH75N15資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH75N15
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH75N15, IXTH75N15數據表 (總頁數: 5, 大小: 583.64 KB)
PDFIXTH75N15數據表 封面
IXTH75N15數據表 頁面 2 IXTH75N15數據表 頁面 3 IXTH75N15數據表 頁面 4 IXTH75N15數據表 頁面 5

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IXTH75N15規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs23mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs210nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)330W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1230pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® ChipFet Single

包裝/箱

PowerPAK® ChipFET™ Single

制造商

IXYS

系列

TrenchMV™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

160A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

132nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

430W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247 (IXTH)

包裝/箱

TO-247-3

SI7112DN-T1-E3

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 17.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2610pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

330mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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