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IXTH8P50

IXTH8P50

僅供參考

型號 IXTH8P50
PNEDA編號 IXTH8P50
描述 MOSFET P-CH 500V 8A TO-247
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 4,716
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 20 - 十一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTH8P50資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTH8P50
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTH8P50, IXTH8P50數據表 (總頁數: 2, 大小: 515.67 KB)
PDFIXTT8P50數據表 封面
IXTT8P50數據表 頁面 2

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IXTH8P50規格

制造商IXYS
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs130nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)180W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 (IXTH)
包裝/箱TO-247-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 17µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2340pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

46W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta), 5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

560mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 33W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 4.5A, 11V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2410pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Tc)

工作溫度

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Vgs(最大)

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FET功能

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功耗(最大值)

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