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IXTN120P20T

IXTN120P20T

僅供參考

型號 IXTN120P20T
PNEDA編號 IXTN120P20T
描述 MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTN120P20T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTN120P20T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTN120P20T, IXTN120P20T數據表 (總頁數: 6, 大小: 182.26 KB)
PDFIXTN120P20T數據表 封面
IXTN120P20T數據表 頁面 2 IXTN120P20T數據表 頁面 3 IXTN120P20T數據表 頁面 4 IXTN120P20T數據表 頁面 5 IXTN120P20T數據表 頁面 6

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IXTN120P20T規格

制造商IXYS
系列TrenchP™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)106A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs740nC @ 10V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds73000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)830W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SOT-227B
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

84nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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50A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 54A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6909pF @ 10V

FET功能

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7.8mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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