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IXTP18N60PM

IXTP18N60PM

僅供參考

型號 IXTP18N60PM
PNEDA編號 IXTP18N60PM
描述 MOSFET N-CH TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTP18N60PM資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTP18N60PM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTP18N60PM, IXTP18N60PM數據表 (總頁數: 4, 大小: 115.7 KB)
PDFIXTP18N60PM數據表 封面
IXTP18N60PM數據表 頁面 2 IXTP18N60PM數據表 頁面 3 IXTP18N60PM數據表 頁面 4

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IXTP18N60PM規格

制造商IXYS
系列Polar™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs420mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs49nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220 Isolated Tab
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

54mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

370pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta)

工作溫度

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3524pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

950V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.25Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

460W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

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