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IXTP220N04T2

IXTP220N04T2

僅供參考

型號 IXTP220N04T2
PNEDA編號 IXTP220N04T2
描述 MOSFET N-CH 40V 220A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTP220N04T2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTP220N04T2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTP220N04T2, IXTP220N04T2數據表 (總頁數: 6, 大小: 204.01 KB)
PDFIXTP220N04T2數據表 封面
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IXTP220N04T2規格

制造商IXYS
系列TrenchT2™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)220A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs112nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6820pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)360W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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N-Channel

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-247AD (IXFH)

包裝/箱

TO-247-3

NTMFS4839NHT1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43.5nC @ 11.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2354pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

870mW (Ta), 42.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

包裝/箱

8-PowerTDFN, 5 Leads

NTMFS4C35NT3G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

780mW (Ta), 33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

包裝/箱

8-PowerTDFN

IRF7463

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3150pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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