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IXTP36N30P

IXTP36N30P

僅供參考

型號 IXTP36N30P
PNEDA編號 IXTP36N30P
描述 MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 12,996
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTP36N30P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTP36N30P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTP36N30P, IXTP36N30P數據表 (總頁數: 5, 大小: 252.12 KB)
PDFIXTQ36N30P數據表 封面
IXTQ36N30P數據表 頁面 2 IXTQ36N30P數據表 頁面 3 IXTQ36N30P數據表 頁面 4 IXTQ36N30P數據表 頁面 5

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IXTP36N30P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs70nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

83W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

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32nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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