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IXTP36N30T

IXTP36N30T

僅供參考

型號 IXTP36N30T
PNEDA編號 IXTP36N30T
描述 MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 2,358
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTP36N30T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTP36N30T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTP36N30T規格

制造商IXYS
系列PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs110mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs70nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2250pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.75V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 3.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

145nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4895pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

357W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 580mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

209pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

510mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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