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IXTP5N50P

IXTP5N50P

僅供參考

型號 IXTP5N50P
PNEDA編號 IXTP5N50P
描述 MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,148
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTP5N50P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTP5N50P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IXTP5N50P規格

制造商IXYS
系列PolarHV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.6nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds620pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)89W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta), 20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.7mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 52µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

100W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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250mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2V, 2.8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8Ohm @ 100mA, 2.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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