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IXTP6N50D2

IXTP6N50D2

僅供參考

型號 IXTP6N50D2
PNEDA編號 IXTP6N50D2
描述 MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTP6N50D2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTP6N50D2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTP6N50D2, IXTP6N50D2數據表 (總頁數: 5, 大小: 186.2 KB)
PDFIXTH6N50D2數據表 封面
IXTH6N50D2數據表 頁面 2 IXTH6N50D2數據表 頁面 3 IXTH6N50D2數據表 頁面 4 IXTH6N50D2數據表 頁面 5

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IXTP6N50D2規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs500mOhm @ 3A, 0V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs96nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2800pF @ 25V
FET功能Depletion Mode
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 43A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A (Ta), 16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

215mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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-

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

450nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

24740pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

306W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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