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IXTP98N075T

IXTP98N075T

僅供參考

型號 IXTP98N075T
PNEDA編號 IXTP98N075T
描述 MOSFET N-CH 75V 98A TO-220
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,172
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTP98N075T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTP98N075T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTP98N075T, IXTP98N075T數據表 (總頁數: 2, 大小: 73.91 KB)
PDFIXTP98N075T數據表 封面
IXTP98N075T數據表 頁面 2

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IXTP98N075T規格

制造商IXYS
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)75V
電流-25°C時的連續漏極(Id)98A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)230W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

41A (Ta), 235A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 128W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1313pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.15W (Ta)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2740pF @ 25V

FET功能

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300W (Tc)

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