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IXTQ120N15P

IXTQ120N15P

僅供參考

型號 IXTQ120N15P
PNEDA編號 IXTQ120N15P
描述 MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTQ120N15P資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTQ120N15P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTQ120N15P, IXTQ120N15P數據表 (總頁數: 5, 大小: 171.79 KB)
PDFIXTT120N15P數據表 封面
IXTT120N15P數據表 頁面 2 IXTT120N15P數據表 頁面 3 IXTT120N15P數據表 頁面 4 IXTT120N15P數據表 頁面 5

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IXTQ120N15P規格

制造商IXYS
系列PolarHT™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs150nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)600W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5785pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

30W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 12.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

127nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2780pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

113nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 158W (Tc)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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