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IXTQ200N085T

IXTQ200N085T

僅供參考

型號 IXTQ200N085T
PNEDA編號 IXTQ200N085T
描述 MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 5,670
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTQ200N085T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTQ200N085T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTQ200N085T, IXTQ200N085T數據表 (總頁數: 5, 大小: 205.67 KB)
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IXTQ200N085T規格

制造商IXYS
系列TrenchMV™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)85V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs152nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)480W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 7.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45.6nC @ 10V

Vgs(最大)

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