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IXTQ44P15T

IXTQ44P15T

僅供參考

型號 IXTQ44P15T
PNEDA編號 IXTQ44P15T
描述 MOSFET P-CH 150V 44A TO-3P
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IXTQ44P15T資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IXTQ44P15T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IXTQ44P15T, IXTQ44P15T數據表 (總頁數: 7, 大小: 237.49 KB)
PDFIXTH44P15T數據表 封面
IXTH44P15T數據表 頁面 2 IXTH44P15T數據表 頁面 3 IXTH44P15T數據表 頁面 4 IXTH44P15T數據表 頁面 5 IXTH44P15T數據表 頁面 6 IXTH44P15T數據表 頁面 7

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IXTQ44P15T規格

制造商IXYS
系列TrenchP™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)44A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs175nC @ 10V
Vgs(最大)±15V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)298W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3P
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.52mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3640pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Diodes Incorporated

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

676pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

760mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

-

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

38A (Ta), 250A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.36mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6660pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 167W (Tc)

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

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-

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 3V

FET功能

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功耗(最大值)

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